1, ຄວາມຕ້ອງການສຸດທ້າຍຂອງ photovoltaic: ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ແມ່ນເຂັ້ມແຂງ, ແລະຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ແມ່ນປີ້ນກັບກັນໂດຍອີງໃສ່ການຄາດຄະເນຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງ.
1.1.ການບໍລິໂພກ Polysilicon: ທົ່ວໂລກປະລິມານການບໍລິໂພກແມ່ນເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການຜະລິດໄຟຟ້າ photovoltaic
ສິບປີທີ່ຜ່ານມາ, ທົ່ວໂລກໂພລີຊິລິຄອນການບໍລິໂພກໄດ້ສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະອັດຕາສ່ວນຂອງຈີນໄດ້ສືບຕໍ່ຂະຫຍາຍຕົວ, ນໍາພາໂດຍອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic.ຈາກ 2012 ຫາ 2021, ການບໍລິໂພກໂພລີຊິລິຄອນທົ່ວໂລກໂດຍທົ່ວໄປສະແດງໃຫ້ເຫັນທ່າອ່ຽງເພີ່ມຂຶ້ນ, ເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 237,000 ໂຕນເປັນປະມານ 653,000 ໂຕນ.ໃນປີ 2018, ນະໂຍບາຍໃໝ່ 531 ໄຟຟ້າຂອງຈີນໄດ້ຖືກນຳໃຊ້, ເຊິ່ງໄດ້ຫຼຸດອັດຕາການອຸດໜູນດ້ານການຜະລິດໄຟຟ້າແສງຕາເວັນອອກຢ່າງຈະແຈ້ງ.ຄວາມອາດສາມາດ photovoltaic ທີ່ຕິດຕັ້ງໃຫມ່ຫຼຸດລົງ 18% ໃນປີຕໍ່ປີ, ແລະຄວາມຕ້ອງການຂອງ polysilicon ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ.ນັບແຕ່ປີ 2019, ລັດໄດ້ນຳສະເໜີນະໂຍບາຍຈຳນວນໜຶ່ງເພື່ອຊຸກຍູ້ຄວາມເທົ່າທຽມກັນຂອງຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ.ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ຍັງເຂົ້າໄປໃນໄລຍະເວລາຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາ.ໃນລະຫວ່າງໄລຍະເວລານີ້, ອັດຕາສ່ວນການບໍລິໂພກໂພລີຊິລິຄອນຂອງຈີນໃນການບໍລິໂພກທົ່ວໂລກຍັງສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ຈາກ 61.5% ໃນປີ 2012 ເປັນ 93.9% ໃນປີ 2021, ຕົ້ນຕໍແມ່ນຍ້ອນການພັດທະນາຂອງອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic ຂອງຈີນທີ່ພັດທະນາຢ່າງໄວວາ.ຈາກທັດສະນະຂອງຮູບແບບການບໍລິໂພກທົ່ວໂລກຂອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ polysilicon ໃນປີ 2021, ວັດສະດຸຊິລິຄອນທີ່ໃຊ້ສໍາລັບຈຸລັງ photovoltaic ຈະກວມເອົາຢ່າງຫນ້ອຍ 94%, ໃນນັ້ນ polysilicon ຊັ້ນແສງຕາເວັນແລະ silicon granular ກວມເອົາ 91% ແລະ 3%, ຕາມລໍາດັບ, ໃນຂະນະທີ່. polysilicon ຊັ້ນຮຽນເອເລັກໂທຣນິກທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບຊິບກວມເອົາ 94%.ອັດຕາສ່ວນແມ່ນ 6%, ເຊິ່ງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າຄວາມຕ້ອງການໃນປະຈຸບັນສໍາລັບ polysilicon ແມ່ນເດັ່ນໃນ photovoltaics.ຄາດວ່າ, ດ້ວຍຄວາມອົບອຸ່ນຂອງນະໂຍບາຍສອງຄາບອນ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ຈະກາຍເປັນທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ແລະການບໍລິໂພກແລະອັດຕາສ່ວນຂອງ polysilicon ຊັ້ນແສງຕາເວັນຈະສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
1.2.Silicon wafer: monocrystalline silicon wafer ຄອບຄອງກະແສຫຼັກ, ແລະເຕັກໂນໂລຢີ Czochralski ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງພັດທະນາຢ່າງໄວວາ.
ການເຊື່ອມຕໍ່ທາງລຸ່ມຂອງໂພລີຊິລິຄອນແມ່ນ wafers ຊິລິໂຄນ, ແລະປະຈຸບັນຈີນໄດ້ຄອບງໍາຕະຫຼາດ wafer ຊິລິຄອນທົ່ວໂລກ.ແຕ່ປີ 2012 ຫາປີ 2021, ຄວາມສາມາດຜະລິດແລະຜະລິດຕະພັນຂອງຊິລິໂຄນຂອງໂລກແລະຈີນໄດ້ສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະອຸດສາຫະກຳໄຟຟ້າຍັງສືບຕໍ່ຂະຫຍາຍຕົວ.Silicon wafers ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຂົວເຊື່ອມຕໍ່ວັດສະດຸຊິລິໂຄນແລະຫມໍ້ໄຟ, ແລະບໍ່ມີພາລະໃນຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດ, ສະນັ້ນມັນຍັງສືບຕໍ່ດຶງດູດບໍລິສັດຈໍານວນຫລາຍເຂົ້າມາໃນອຸດສາຫະກໍາ.ໃນປີ 2021, ຜູ້ຜະລິດ wafer ຊິລິໂຄນຂອງຈີນໄດ້ຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງຫຼວງຫຼາຍການຜະລິດຄວາມອາດສາມາດຂອງຜົນຜະລິດ 213.5GW, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການຜະລິດຊິລິໂຄນ wafer ທົ່ວໂລກເພີ່ມຂຶ້ນເປັນ 215.4GW.ອີງຕາມຄວາມສາມາດການຜະລິດທີ່ມີຢູ່ແລະເພີ່ມຂຶ້ນໃໝ່ຂອງຈີນ, ຄາດວ່າອັດຕາການເຕີບໂຕຕໍ່ປີຈະຮັກສາລະດັບ 15-25% ໃນບໍ່ເທົ່າໃດປີຂ້າງໜ້າ, ແລະການຜະລິດ wafer ຂອງຈີນຍັງຄົງຮັກສາທ່າທີ່ເດັ່ນໃນໂລກ.
Polycrystalline silicon ສາມາດຜະລິດເປັນ polycrystalline silicon ingots ຫຼື monocrystalline silicon rods.ຂະບວນການຜະລິດຂອງ ingots polycrystalline silicon ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີວິທີການຫລໍ່ແລະວິທີການ melting ໂດຍກົງ.ໃນປັດຈຸບັນ, ປະເພດທີສອງແມ່ນວິທີການຕົ້ນຕໍ, ແລະອັດຕາການສູນເສຍແມ່ນຮັກສາພື້ນຖານຢູ່ທີ່ປະມານ 5%.ວິທີການຫລໍ່ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການລະລາຍວັດສະດຸຊິລິຄອນຢູ່ໃນ crucible ກ່ອນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນໂຍນມັນເຂົ້າໄປໃນ crucible preheated ອື່ນສໍາລັບການເຮັດຄວາມເຢັນ.ໂດຍການຄວບຄຸມອັດຕາການເຮັດຄວາມເຢັນ, ການ ingot ຊິລິໂຄນ polycrystalline ແມ່ນຖືກໂຍນລົງໂດຍເທກໂນໂລຍີການແຂງຕົວຂອງທິດທາງ.ຂະບວນການລະລາຍຮ້ອນຂອງວິທີການລະລາຍໂດຍກົງແມ່ນຄືກັນກັບວິທີການຫລໍ່, ເຊິ່ງໂພລີຊິລິຄອນຖືກລະລາຍໂດຍກົງໃນ crucible ກ່ອນ, ແຕ່ຂັ້ນຕອນຂອງການເຮັດຄວາມເຢັນແມ່ນແຕກຕ່າງຈາກວິທີການຫລໍ່.ເຖິງແມ່ນວ່າທັງສອງວິທີການແມ່ນຄ້າຍຄືກັນຫຼາຍໃນລັກສະນະ, ວິທີການ melting ໂດຍກົງພຽງແຕ່ຕ້ອງການຫນຶ່ງ crucible, ແລະຜະລິດຕະພັນ polysilicon ທີ່ຜະລິດມີຄຸນນະພາບດີ, ເຊິ່ງເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ ingots polycrystalline silicon ປະຖົມນິເທດທີ່ດີກວ່າ, ແລະຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະ. automate, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ຕໍາແຫນ່ງພາຍໃນຂອງ crystal Error ຫຼຸດລົງ.ໃນປັດຈຸບັນ, ວິສາຫະກິດຊັ້ນນໍາໃນອຸດສາຫະກໍາວັດສະດຸພະລັງງານແສງຕາເວັນໂດຍທົ່ວໄປໃຊ້ວິທີການລະລາຍໂດຍກົງເພື່ອເຮັດໃຫ້ ingots polycrystalline silicon, ແລະເນື້ອໃນຂອງຄາບອນແລະອົກຊີເຈນແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຕ່ໍາ, ຄວບຄຸມຕ່ໍາກວ່າ 10ppma ແລະ 16ppma.ໃນອະນາຄົດ, ການຜະລິດຂອງ ingots ຊິລິໂຄນ polycrystalline ຍັງຖືກຄອບງໍາໂດຍວິທີການ melting ໂດຍກົງ, ແລະອັດຕາການສູນເສຍຈະຍັງຄົງຢູ່ປະມານ 5% ພາຍໃນຫ້າປີ.
ການຜະລິດຂອງ rods ຊິລິໂຄນ monocrystalline ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອີງໃສ່ວິທີການ Czochralski, ເສີມໂດຍວິທີການລະລາຍເຂດ suspension ຕັ້ງ, ແລະຜະລິດຕະພັນທີ່ຜະລິດໂດຍທັງສອງມີການນໍາໃຊ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.ວິທີການ Czochralski ໃຊ້ຄວາມຕ້ານທານ graphite ຕໍ່ກັບຄວາມຮ້ອນ polycrystalline silicon ໃນ crucible quartz ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງໃນລະບົບຄວາມຮ້ອນທໍ່ຊື່ເພື່ອລະລາຍມັນ, ຫຼັງຈາກນັ້ນໃສ່ໄປເຊຍກັນຂອງແກ່ນເຂົ້າໄປໃນການລະລາຍເພື່ອ fusion, ແລະ rotate crystal ແກ່ນໃນຂະນະທີ່ inverting. crucible., ໄປເຊຍກັນຂອງເມັດໄດ້ຖືກຍົກຂຶ້ນມາຢ່າງຊ້າໆ, ແລະຊິລິໂຄນ monocrystalline ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍຜ່ານຂະບວນການຂອງແກ່ນ, ການຂະຫຍາຍ, ການຫັນບ່າ, ການຂະຫຍາຍຕົວເສັ້ນຜ່າກາງເທົ່າທຽມກັນ, ແລະສໍາເລັດຮູບ.ວິທີການ melting zone ແບບຕັ້ງແມ່ນຫມາຍເຖິງການແກ້ໄຂວັດສະດຸ polycrystalline ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງ columnar ຢູ່ໃນຫ້ອງ furnace, ຍ້າຍມ້ວນໂລຫະຊ້າໆຕາມທິດທາງຂອງ polycrystalline ຍາວແລະຜ່ານ polycrystalline columnar, ແລະຖ່າຍທອດກະແສຄວາມຖີ່ວິທະຍຸທີ່ມີພະລັງງານສູງໃນໂລຫະ. coil ເພື່ອເຮັດໃຫ້ສ່ວນຫນຶ່ງຂອງພາຍໃນຂອງທໍ່ polycrystalline ຂົ້ວ melts, ແລະຫຼັງຈາກ coil ໄດ້ຖືກຍ້າຍ, melt ໄດ້ recrystallizes ເປັນໄປເຊຍກັນດຽວ.ເນື່ອງຈາກຂະບວນການຜະລິດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ມີຄວາມແຕກຕ່າງໃນອຸປະກອນການຜະລິດ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດແລະຄຸນນະພາບຂອງຜະລິດຕະພັນ.ໃນປັດຈຸບັນ, ຜະລິດຕະພັນທີ່ໄດ້ຮັບໂດຍວິທີການ melting zone ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, ໃນຂະນະທີ່ວິທີການ Czochralski ສາມາດຕອບສະຫນອງເງື່ອນໄຂໃນການຜະລິດຊິລິໂຄນ crystal ດຽວສໍາລັບຈຸລັງ photovoltaic ແລະມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ, ດັ່ງນັ້ນມັນແມ່ນ. ວິທີການຕົ້ນຕໍ.ໃນປີ 2021, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງວິທີການດຶງກົງແມ່ນປະມານ 85%, ແລະຄາດວ່າຈະເພີ່ມຂຶ້ນເລັກນ້ອຍໃນສອງສາມປີຂ້າງຫນ້າ.ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດໃນປີ 2025 ແລະ 2030 ຄາດວ່າຈະເປັນ 87% ແລະ 90% ຕາມລໍາດັບ.ໃນຂໍ້ກໍານົດຂອງເມືອງ melting ຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວ, ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງອຸດສາຫະກໍາຂອງເມືອງ melting ຊິລິຄອນໄປເຊຍກັນດຽວແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງໃນໂລກ.ການຊື້ກິດຈະການ), TOPSIL (ເດນມາກ).ໃນອະນາຄົດ, ຂະຫນາດຜົນຜະລິດຂອງຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວ molten ຈະບໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.ເຫດຜົນແມ່ນຍ້ອນວ່າເຕັກໂນໂລຢີທີ່ກ່ຽວຂ້ອງຂອງຈີນແມ່ນຂ້ອນຂ້າງລ້າຫຼັງເມື່ອທຽບກັບຍີ່ປຸ່ນແລະເຢຍລະມັນ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນຄວາມສາມາດຂອງອຸປະກອນຄວາມຮ້ອນທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງແລະເງື່ອນໄຂຂະບວນການ crystallization.ເຕັກໂນໂລຊີຂອງຊິລິໂຄນ fused ໄປເຊຍກັນໃນພື້ນທີ່ເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດໃຫຍ່ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ວິສາຫະກິດຈີນສືບຕໍ່ສໍາຫຼວດດ້ວຍຕົນເອງ.
ວິທີການ Czochralski ສາມາດແບ່ງອອກເປັນເທກໂນໂລຍີການດຶງໄປເຊຍກັນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (CCZ) ແລະເທກໂນໂລຍີການດຶງໄປເຊຍກັນຊ້ໍາ (RCZ).ໃນປັດຈຸບັນ, ວິທີການຕົ້ນຕໍໃນອຸດສາຫະກໍາແມ່ນ RCZ, ເຊິ່ງຢູ່ໃນຂັ້ນຕອນຂອງການປ່ຽນແປງຈາກ RCZ ກັບ CCZ.ຂັ້ນຕອນການດຶງແລະການໃຫ້ອາຫານໄປເຊຍກັນຂອງ RZC ແມ່ນເອກະລາດຂອງກັນແລະກັນ.ກ່ອນທີ່ຈະດຶງແຕ່ລະຄັ້ງ, ແກນໄປເຊຍກັນດຽວຕ້ອງໄດ້ຮັບການເຢັນແລະເອົາອອກໃນຫ້ອງປະຕູ, ໃນຂະນະທີ່ CCZ ສາມາດຮັບຮູ້ການໃຫ້ອາຫານແລະການລະລາຍໃນຂະນະທີ່ດຶງ.RCZ ແມ່ນຂ້ອນຂ້າງໃຫຍ່, ແລະມີພື້ນທີ່ຫນ້ອຍສໍາລັບການປັບປຸງເຕັກໂນໂລຢີໃນອະນາຄົດ;ໃນຂະນະທີ່ CCZ ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແລະການປັບປຸງປະສິດທິພາບ, ແລະຢູ່ໃນຂັ້ນຕອນຂອງການພັດທະນາຢ່າງໄວວາ.ໃນແງ່ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເມື່ອທຽບກັບ RCZ, ເຊິ່ງໃຊ້ເວລາປະມານ 8 ຊົ່ວໂມງກ່ອນທີ່ rod ດຽວຈະຖືກແຕ້ມ, CCZ ສາມາດປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ crucible ແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານໂດຍການກໍາຈັດຂັ້ນຕອນນີ້.ຜົນຜະລິດ furnace ດຽວທັງຫມົດແມ່ນສູງກວ່າ 20% ສູງກວ່າ RCZ.ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດແມ່ນຫຼາຍກ່ວາ 10% ຕ່ໍາກວ່າ RCZ.ໃນແງ່ຂອງປະສິດທິພາບ, CCZ ສາມາດສໍາເລັດຮູບແຕ້ມຂອງ 8-10 rods ຊິລິຄອນໄປເຊຍກັນດຽວພາຍໃນວົງຈອນຊີວິດຂອງ crucible ໄດ້ (250 ຊົ່ວໂມງ), ໃນຂະນະທີ່ RCZ ສາມາດສໍາເລັດພຽງແຕ່ປະມານ 4, ແລະປະສິດທິພາບການຜະລິດສາມາດເພີ່ມຂຶ້ນ 100-150%. .ໃນດ້ານຄຸນນະພາບ, CCZ ມີຄວາມຕ້ານທານເປັນເອກະພາບຫຼາຍ, ປະລິມານອົກຊີເຈນຕ່ໍາ, ແລະການສະສົມຂອງ impurities ໂລຫະຊ້າລົງ, ສະນັ້ນມັນເຫມາະສົມກັບການກະກຽມຂອງ n-type crystal silicon wafers ດຽວ, ເຊິ່ງຍັງຢູ່ໃນໄລຍະເວລາຂອງການພັດທະນາຢ່າງໄວວາ.ໃນປັດຈຸບັນ, ບໍລິສັດຈີນຈໍານວນຫນຶ່ງໄດ້ປະກາດວ່າພວກເຂົາມີເທກໂນໂລຍີ CCZ, ແລະເສັ້ນທາງຂອງແຜ່ນ silicon granular-CCZ-n-type monocrystalline silicon wafers ໄດ້ມີຄວາມຊັດເຈນໂດຍພື້ນຖານແລ້ວ, ແລະເຖິງແມ່ນວ່າໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນທີ່ຈະນໍາໃຊ້ວັດສະດຸ silicon granular 100%..ໃນອະນາຄົດ, CCZ ໂດຍພື້ນຖານແລ້ວຈະປ່ຽນແທນ RCZ, ແຕ່ມັນຈະໃຊ້ເວລາໃນຂະບວນການທີ່ແນ່ນອນ.
ຂະບວນການຜະລິດຂອງ monocrystalline silicon wafers ແບ່ງອອກເປັນສີ່ຂັ້ນຕອນ: ດຶງ, slicing, slicing, ທໍາຄວາມສະອາດແລະການຄັດ.ການປະກົດຕົວຂອງວິທີການ slicing ສາຍເພັດໄດ້ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍອັດຕາການສູນເສຍ slicing.ຂະບວນການດຶງໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກອະທິບາຍຂ້າງເທິງ.ຂະບວນການຕັດປະກອບມີການຕັດ, squaring, ແລະການດໍາເນີນງານ chamfering.Slicing ແມ່ນໃຊ້ເຄື່ອງຕັດເພື່ອຕັດຄໍລໍາຊິລິໂຄນເຂົ້າໄປໃນ wafers ຊິລິໂຄນ.ການເຮັດຄວາມສະອາດແລະການຈັດລຽງແມ່ນຂັ້ນຕອນສຸດທ້າຍໃນການຜະລິດຊິລິໂຄນ wafers.ວິທີການ slicing ສາຍເພັດມີຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ຈະແຈ້ງກ່ວາວິທີການ slicing ສາຍ mortar ພື້ນເມືອງ, ເຊິ່ງສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນເຖິງການບໍລິໂພກທີ່ໃຊ້ເວລາສັ້ນແລະການສູນເສຍຕ່ໍາ.ຄວາມໄວຂອງສາຍເພັດແມ່ນຫ້າເທົ່າຂອງການຕັດແບບດັ້ງເດີມ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ສໍາລັບການຕັດ wafer ດຽວ, ການຕັດລວດ mortar ພື້ນເມືອງໃຊ້ເວລາປະມານ 10 ຊົ່ວໂມງ, ແລະການຕັດສາຍເພັດໃຊ້ເວລາພຽງແຕ່ປະມານ 2 ຊົ່ວໂມງ.ການສູນເສຍຂອງການຕັດສາຍເພັດແມ່ນຍັງຂ້ອນຂ້າງນ້ອຍ, ແລະຊັ້ນຄວາມເສຍຫາຍທີ່ເກີດຈາກການຕັດສາຍເພັດແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າການຕັດສາຍ mortar, ເຊິ່ງເຫມາະສົມສໍາລັບການຕັດ wafers ຊິລິຄອນ thinner.ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການຕັດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດ, ບໍລິສັດໄດ້ຫັນໄປຫາວິທີການຕັດສາຍເພັດ, ແລະເສັ້ນຜ່າກາງຂອງແຖບລົດເມສາຍເພັດແມ່ນຫຼຸດລົງແລະຕ່ໍາ.ໃນປີ 2021, ເສັ້ນຜ່າກາງຂອງ busbar ສາຍເພັດຈະເປັນ 43-56 μm, ແລະເສັ້ນຜ່າກາງຂອງ busbar ສາຍເພັດທີ່ໃຊ້ສໍາລັບ monocrystalline silicon wafers ຈະຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະສືບຕໍ່ຫຼຸດລົງ.ຄາດຄະເນວ່າໃນປີ 2025 ແລະ 2030, ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງສາຍ busbars ສາຍເພັດທີ່ໃຊ້ຕັດ wafers monocrystalline silicon ຈະເປັນ 36 μm ແລະ 33 μm, ຕາມລໍາດັບ, ແລະເສັ້ນຜ່າກາງຂອງ busbars ສາຍເພັດທີ່ໃຊ້ເພື່ອຕັດ wafers polycrystalline silicon ຈະເປັນ 51 μm. ແລະ 51 μm, ຕາມລໍາດັບ.ນີ້ແມ່ນຍ້ອນວ່າມີຫຼາຍຂໍ້ບົກພ່ອງແລະຄວາມບໍ່ສະອາດຢູ່ໃນ wafers ຊິລິໂຄນ polycrystalline, ແລະສາຍໄຟບາງໆມັກຈະແຕກ.ດັ່ງນັ້ນ, ເສັ້ນຜ່າກາງຂອງສາຍ busbar ເພັດທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການຕັດ wafers polycrystalline silicon ແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່ກ່ວາຂອງ monocrystalline silicon wafers, ແລະເປັນສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ wafers polycrystalline silicon ຄ່ອຍໆຫຼຸດລົງ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບ polycrystalline silicon ການຕັດເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງເພັດ. ສາຍ busbars ຕັດໂດຍ slices ໄດ້ຊ້າລົງ.
ໃນປັດຈຸບັນ, wafers ຊິລິໂຄນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດ: polycrystalline silicon wafers ແລະ monocrystalline silicon wafers.wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ມີຂໍ້ດີຂອງຊີວິດການບໍລິການຍາວແລະປະສິດທິພາບການແປງ photoelectric ສູງ.Polycrystalline wafers ຊິລິຄອນແມ່ນປະກອບດ້ວຍເມັດໄປເຊຍກັນທີ່ມີທິດທາງຍົນໄປເຊຍກັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ໃນຂະນະທີ່ wafers ຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວແມ່ນເຮັດດ້ວຍຊິລິໂຄນ polycrystalline ເປັນວັດຖຸດິບແລະມີທິດທາງຍົນໄປເຊຍກັນ.ໃນລັກສະນະ, wafers ຊິລິໂຄນ polycrystalline ແລະ wafers ຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວແມ່ນສີຟ້າ - ສີດໍາແລະສີດໍາ - ສີນ້ໍາຕານ.ນັບຕັ້ງແຕ່ທັງສອງໄດ້ຖືກຕັດອອກຈາກ ingots polycrystalline silicon ແລະ rods monocrystalline silicon, ຕາມລໍາດັບ, ຮູບຮ່າງແມ່ນສີ່ຫລ່ຽມແລະສີ່ຫລ່ຽມມົນທົນ.ຊີວິດການບໍລິການຂອງ wafers polycrystalline silicon ແລະ monocrystalline silicon wafers ແມ່ນປະມານ 20 ປີ.ຖ້າວິທີການຫຸ້ມຫໍ່ແລະສະພາບແວດລ້ອມການນໍາໃຊ້ທີ່ເຫມາະສົມ, ຊີວິດການບໍລິການສາມາດບັນລຸຫຼາຍກ່ວາ 25 ປີ.ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ຊີວິດຂອງ wafers monocrystalline silicon ແມ່ນຍາວກວ່າເລັກນ້ອຍຂອງ polycrystalline silicon wafers.ນອກຈາກນັ້ນ, wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ຍັງດີກວ່າເລັກນ້ອຍໃນປະສິດທິພາບການແປງ photoelectric, ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ dislocation ຂອງເຂົາເຈົ້າແລະ impurities ໂລຫະແມ່ນມີຫຼາຍຂະຫນາດນ້ອຍກ່ວາຂອງ wafers polycrystalline silicon.ຜົນກະທົບລວມຂອງປັດໃຈຕ່າງໆເຮັດໃຫ້ຊີວິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຊົນເຜົ່າສ່ວນນ້ອຍຂອງໄປເຊຍກັນດຽວສູງກວ່າອາຍແກັສ polycrystalline silicon wafers.ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງສະແດງໃຫ້ເຫັນປະໂຫຍດຂອງປະສິດທິພາບການແປງ.ໃນປີ 2021, ປະສິດທິພາບການແປງສູງສຸດຂອງ wafers polycrystalline silicon ຈະຢູ່ທີ່ປະມານ 21%, ແລະຂອງ monocrystalline silicon wafers ຈະສູງເຖິງ 24.2%.
ນອກເຫນືອໄປຈາກຊີວິດຍາວແລະປະສິດທິພາບການແປງສູງ, wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ຍັງມີປະໂຫຍດຂອງການເຮັດໃຫ້ບາງໆ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງ silicon wafer, ແຕ່ເອົາໃຈໃສ່ກັບການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອັດຕາການແຕກແຍກ.ການເຮັດໃຫ້ບາງໆຂອງ wafers ຊິລິຄອນຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດ, ແລະຂະບວນການ slicing ໃນປັດຈຸບັນສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງການບາງໆໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ແຕ່ຄວາມຫນາຂອງ silicon wafers ຍັງຕ້ອງຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຈຸລັງລຸ່ມແລະການຜະລິດອົງປະກອບ.ໂດຍທົ່ວໄປ, ຄວາມຫນາຂອງ wafers ຊິລິໂຄນໄດ້ຫຼຸດລົງໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ແລະຄວາມຫນາຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ polycrystalline ແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼາຍກ່ວາຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline.wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ໄດ້ຖືກແບ່ງອອກຕື່ມອີກເປັນ n-type silicon wafers ແລະ p-type silicon wafers, ໃນຂະນະທີ່ n-type silicon wafers ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີການນໍາໃຊ້ຫມໍ້ໄຟ TOPCon ແລະການໃຊ້ຫມໍ້ໄຟ HJT.ໃນປີ 2021, ຄວາມຫນາສະເລ່ຍຂອງ wafers polycrystalline silicon ແມ່ນ 178μm, ແລະການຂາດຄວາມຕ້ອງການໃນອະນາຄົດຈະເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາສືບຕໍ່ບາງໆ.ດັ່ງນັ້ນ, ມັນຄາດຄະເນວ່າຄວາມຫນາຈະຫຼຸດລົງເລັກນ້ອຍຈາກ 2022 ຫາ 2024, ແລະຄວາມຫນາຈະຍັງຄົງຢູ່ທີ່ປະມານ 170μmຫຼັງຈາກປີ 2025;ຄວາມຫນາສະເລ່ຍຂອງ p-type monocrystalline silicon wafers ແມ່ນປະມານ 170μm, ແລະຄາດວ່າຈະຫຼຸດລົງເຖິງ 155μm ແລະ 140μm ໃນປີ 2025 ແລະ 2030. ໃນບັນດາ n-type monocrystalline silicon wafers, ຄວາມຫນາຂອງ silicon wafers ທີ່ໃຊ້ສໍາລັບຈຸລັງ HJT ແມ່ນ. 150μm, ແລະຄວາມຫນາສະເລ່ຍຂອງ n-type silicon wafers ທີ່ໃຊ້ສໍາລັບຈຸລັງ TOPCon ແມ່ນ165μm.135 ມມ.
ນອກຈາກນັ້ນ, ການຜະລິດ wafers ຊິລິໂຄນ polycrystalline ໃຊ້ຊິລິໂຄນຫຼາຍກ່ວາ wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline, ແຕ່ຂັ້ນຕອນການຜະລິດແມ່ນຂ້ອນຂ້າງງ່າຍດາຍ, ເຊິ່ງນໍາເອົາຜົນປະໂຫຍດດ້ານຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃຫ້ກັບ wafers polycrystalline silicon.ຊິລິໂຄນ Polycrystalline, ເປັນວັດຖຸດິບທົ່ວໄປສໍາລັບ wafers polycrystalline silicon ແລະ monocrystalline silicon wafers, ມີການບໍລິໂພກທີ່ແຕກຕ່າງກັນໃນການຜະລິດຂອງທັງສອງ, ຊຶ່ງເປັນຍ້ອນຄວາມແຕກຕ່າງໃນຄວາມບໍລິສຸດແລະຂັ້ນຕອນການຜະລິດຂອງທັງສອງ.ໃນປີ 2021, ການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນຂອງ polycrystalline ingot ແມ່ນ 1.10 kg/kg.ຄາດວ່າການລົງທຶນຈໍາກັດໃນການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາຈະນໍາໄປສູ່ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດນ້ອຍໃນອະນາຄົດ.ການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນຂອງ rod ດຶງແມ່ນ 1.066 kg / kg, ແລະມີຫ້ອງທີ່ແນ່ນອນສໍາລັບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ.ຄາດວ່າຈະເປັນ 1.05 ກລ/ກລ ແລະ 1.043 ກລ/ກລ ໃນປີ 2025 ແລະ 2030 ຕາມລໍາດັບ.ໃນຂະບວນການດຶງໄປເຊຍກັນດຽວ, ການຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນຂອງ rod ດຶງສາມາດບັນລຸໄດ້ໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການທໍາຄວາມສະອາດແລະ crushing, ການຄວບຄຸມສະພາບແວດລ້ອມການຜະລິດຢ່າງເຂັ້ມງວດ, ຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາສ່ວນຂອງ primers, ປັບປຸງການຄວບຄຸມຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະ optimizing ການຈັດປະເພດ. ແລະເຕັກໂນໂລຍີການປຸງແຕ່ງຂອງວັດສະດຸຊິລິໂຄນທີ່ຊຸດໂຊມ.ເຖິງແມ່ນວ່າການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນຂອງ wafers polycrystalline silicon ແມ່ນສູງ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດຂອງ wafers polycrystalline silicon ແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງເນື່ອງຈາກວ່າ polycrystalline silicon ingots ແມ່ນຜະລິດໂດຍການຫລໍ່ ingot ຮ້ອນ melting, ໃນຂະນະທີ່ monocrystalline silicon ingots ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຜະລິດໂດຍການຂະຫຍາຍຕົວຊ້າໃນ Czochralski single furnaces. ເຊິ່ງບໍລິໂພກພະລັງງານຂ້ອນຂ້າງສູງ.ຕໍ່າ.ໃນປີ 2021, ຕົ້ນທຶນການຜະລິດສະເລ່ຍຂອງ wafers monocrystalline silicon ຈະເປັນປະມານ 0.673 ຢວນ/W, ແລະ polycrystalline silicon wafers ຈະແມ່ນ 0.66 ຢວນ/W.
ໃນຂະນະທີ່ຄວາມຫນາຂອງແຜ່ນ silicon wafer ຫຼຸດລົງແລະເສັ້ນຜ່າກາງຂອງ busbar ສາຍເພັດຫຼຸດລົງ, ຜົນຜະລິດຂອງ rods ຊິລິຄອນ / ingots ຂອງເສັ້ນຜ່າກາງເທົ່າທຽມກັນຕໍ່ກິໂລກໍາຈະເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະຈໍານວນຂອງ rods silicon crystal ດຽວທີ່ມີນ້ໍາດຽວກັນຈະສູງກ່ວານັ້ນ. ຂອງ ingots polycrystalline silicon.ໃນແງ່ຂອງພະລັງງານ, ພະລັງງານທີ່ໃຊ້ໂດຍແຕ່ລະ wafer ຊິລິໂຄນແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມປະເພດແລະຂະຫນາດ.ໃນປີ 2021, ຜົນຜະລິດຂອງ p-type ຂະຫນາດ 166mm monocrystalline square bars ແມ່ນປະມານ 64 ຕ່ອນຕໍ່ກິໂລກຣາມ, ແລະຜົນຜະລິດຂອງ polycrystalline square ingots ແມ່ນປະມານ 59 ຕ່ອນ.ໃນບັນດາ p-type single crystal wafers, ຜົນຜະລິດຂອງ 158.75mm ຂະຫນາດ monocrystalline square rods ແມ່ນປະມານ 70 ຕ່ອນຕໍ່ກິໂລກໍາ, ຜົນຜະລິດຂອງ p-type ຂະຫນາດ 182mm single crystal rods ແມ່ນປະມານ 53 ຕ່ອນຕໍ່ກິໂລ, ແລະຜົນຜະລິດຂອງ p. -type ຂະຫນາດ 210mm rods ໄປເຊຍກັນດຽວຕໍ່ກິໂລແມ່ນປະມານ 53 ຕ່ອນ.ຜົນຜະລິດຂອງແຖບສີ່ຫລ່ຽມແມ່ນປະມານ 40 ຊິ້ນ.ຈາກ 2022 ຫາ 2030, ການບາງໆຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງ wafers ຊິລິໂຄນແນ່ນອນຈະນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຈໍານວນຂອງ silicon rods / ingots ຂອງປະລິມານດຽວກັນ.ເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າຂອງ busbar ສາຍເພັດແລະຂະຫນາດອະນຸພາກຂະຫນາດກາງຍັງຈະຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການຕັດ, ດັ່ງນັ້ນການເພີ່ມຈໍານວນຂອງ wafers ຜະລິດ.ປະລິມານ.ຄາດຄະເນວ່າໃນປີ 2025 ແລະ 2030, ຜົນຜະລິດຂອງ p-type ຂະຫນາດ 166mm monocrystalline square rods ແມ່ນປະມານ 71 ແລະ 78 pieces ຕໍ່ກິໂລ, ແລະຜົນຜະລິດຂອງ polycrystalline square ingots ແມ່ນປະມານ 62 ແລະ 62 ຕ່ອນ, ເຊິ່ງແມ່ນເນື່ອງມາຈາກຕະຫຼາດຕ່ໍາ. ສ່ວນແບ່ງຂອງ wafers polycrystalline silicon ມັນເປັນການຍາກທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີທີ່ສໍາຄັນ.ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນໃນພະລັງງານຂອງປະເພດທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະຂະຫນາດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ.ອີງຕາມຂໍ້ມູນການປະກາດສໍາລັບພະລັງງານສະເລ່ຍຂອງ 158.75mm wafers ຊິລິຄອນແມ່ນປະມານ 5.8W / ສິ້ນ, ພະລັງງານສະເລ່ຍຂອງ wafers ຊິລິຄອນຂະຫນາດ 166mm ແມ່ນປະມານ 6.25W / ສິ້ນ, ແລະພະລັງງານສະເລ່ຍຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ 182 ມມແມ່ນປະມານ 6.25W / ສິ້ນ. .ພະລັງງານສະເລ່ຍຂອງ wafer ຊິລິໂຄນຂະຫນາດແມ່ນປະມານ 7.49W / ຊິ້ນ, ແລະພະລັງງານສະເລ່ຍຂອງ wafer ຊິລິໂຄນຂະຫນາດ 210 ມມແມ່ນປະມານ 10W / ຊິ້ນ.
ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, wafers ຊິລິໂຄນໄດ້ພັດທະນາຄ່ອຍໆໃນທິດທາງຂອງຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະຂະຫນາດໃຫຍ່ແມ່ນເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການເພີ່ມພະລັງງານຂອງຊິບດຽວ, ດັ່ງນັ້ນການ diluting ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ບໍ່ແມ່ນຊິລິໂຄນຂອງຈຸລັງ.ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ການປັບຂະຫນາດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນຍັງຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ພິຈາລະນາບັນຫາການຈັບຄູ່ຂອງນ້ໍາແລະລຸ່ມແລະມາດຕະຖານ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນການໂຫຼດແລະບັນຫາໃນປະຈຸບັນສູງ.ໃນປັດຈຸບັນ, ມີສອງ camps ໃນຕະຫຼາດກ່ຽວກັບທິດທາງການພັດທະນາໃນອະນາຄົດຂອງຂະຫນາດ silicon wafer, ຄືຂະຫນາດ 182mm ແລະຂະຫນາດ 210mm.ການສະເຫນີຂອງ 182mm ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນມາຈາກທັດສະນະຂອງການເຊື່ອມໂຍງອຸດສາຫະກໍາແນວຕັ້ງ, ໂດຍອີງໃສ່ການພິຈາລະນາການຕິດຕັ້ງແລະການຂົນສົ່ງຂອງຈຸລັງ photovoltaic, ພະລັງງານແລະປະສິດທິພາບຂອງໂມດູນ, ແລະ synergy ລະຫວ່າງຕົ້ນນ້ໍາແລະລຸ່ມ;ໃນຂະນະທີ່ 210mm ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນມາຈາກທັດສະນະຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນລະບົບ.ຜົນຜະລິດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ 210 ມມໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນຫຼາຍກ່ວາ 15% ໃນຂະບວນການແຕ້ມຮູບທໍ່ເຕົາດຽວ, ຕົ້ນທຶນການຜະລິດຫມໍ້ໄຟນ້ໍາຫຼຸດລົງປະມານ 0.02 ຢວນ/W, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການກໍ່ສ້າງສະຖານີໄຟຟ້າທັງຫມົດຫຼຸດລົງປະມານ 0.1 ຢວນ /. ວ.ໃນສອງສາມປີຂ້າງຫນ້າ, ຄາດວ່າ wafers ຊິລິໂຄນທີ່ມີຂະຫນາດຕ່ໍາກວ່າ 166mm ຈະຖືກກໍາຈັດຄ່ອຍໆ;ບັນຫາການຈັບຄູ່ຕົ້ນນ້ຳແລະລຸ່ມນ້ຳຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ 210 ມມ ຈະໄດ້ຮັບການແກ້ໄຂເທື່ອລະກ້າວຢ່າງມີປະສິດທິຜົນ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຈະກາຍເປັນປັດໄຈສຳຄັນກວ່າທີ່ສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການລົງທຶນ ແລະ ການຜະລິດຂອງວິສາຫະກິດ.ດັ່ງນັ້ນ, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ 210mm ຈະເພີ່ມຂຶ້ນ.ເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ;182mm silicon wafer ຈະກາຍເປັນຂະຫນາດຕົ້ນຕໍໃນຕະຫຼາດໂດຍຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຕົນໃນການຜະລິດປະສົມປະສານຕັ້ງ, ແຕ່ມີການພັດທະນາຂອງເຕັກໂນໂລຊີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ silicon wafer 210mm, 182mm ຈະໃຫ້ວິທີການ.ນອກຈາກນັ້ນ, ມັນເປັນການຍາກສໍາລັບ wafers ຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ຈະຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຕະຫຼາດໃນສອງສາມປີຂ້າງຫນ້າ, ເນື່ອງຈາກວ່າຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແຮງງານແລະຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຕິດຕັ້ງຂອງ wafers ຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຊຶ່ງເປັນການຍາກທີ່ຈະໄດ້ຮັບການຊົດເຊີຍ. ປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນລະບົບ..ໃນປີ 2021, ຂະຫນາດ wafer ຊິລິໂຄນຢູ່ໃນຕະຫຼາດປະກອບມີ 156.75mm, 157mm, 158.75mm, 166mm, 182mm, 210mm, ແລະອື່ນໆ. ໃນບັນດາພວກເຂົາ, ຂະຫນາດຂອງ 158.75mm ແລະ 166mm ກວມເອົາ 50% ຂອງຈໍານວນທັງຫມົດ 15mm, ແລະຂະຫນາດ 15.6mm. ຫຼຸດລົງເປັນ 5%, ຊຶ່ງຈະຄ່ອຍໆປ່ຽນແທນໃນອະນາຄົດ;166mm ແມ່ນການແກ້ໄຂຂະຫນາດທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດທີ່ສາມາດຍົກລະດັບສໍາລັບສາຍການຜະລິດແບດເຕີລີ່ທີ່ມີຢູ່, ເຊິ່ງຈະເປັນຂະຫນາດທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດໃນສອງປີທີ່ຜ່ານມາ.ກ່ຽວກັບຂະຫນາດຂອງການປ່ຽນແປງ, ຄາດວ່າຈະມີສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຫນ້ອຍກວ່າ 2% ໃນປີ 2030;ຂະຫນາດລວມຂອງ 182mm ແລະ 210mm ຈະກວມເອົາ 45% ໃນປີ 2021, ແລະສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງໄວວາໃນອະນາຄົດ.ຄາດວ່າ, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດທັງໝົດໃນປີ 2030 ຈະລື່ນກາຍ 98%.
ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline ໄດ້ສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະມັນໄດ້ຄອບຄອງຕໍາແຫນ່ງຕົ້ນຕໍໃນຕະຫຼາດ.ຈາກ 2012 ຫາ 2021, ອັດຕາສ່ວນຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline ເພີ່ມຂຶ້ນຈາກຫນ້ອຍກວ່າ 20% ເປັນ 93.3%, ເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.ໃນປີ 2018, silicon wafers ໃນຕະຫຼາດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ polycrystalline silicon wafers, ກວມເອົາຫຼາຍກ່ວາ 50%.ເຫດຜົນຕົ້ນຕໍແມ່ນວ່າຂໍ້ດີດ້ານວິຊາການຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ບໍ່ສາມາດກວມເອົາຂໍ້ເສຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.ນັບຕັ້ງແຕ່ປີ 2019, ເນື່ອງຈາກວ່າປະສິດທິພາບການແປງ photoelectric ຂອງ wafers monocrystalline silicon ໄດ້ເກີນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງ wafers polycrystalline silicon, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດຂອງ wafers monocrystalline silicon ໄດ້ສືບຕໍ່ຫຼຸດລົງກັບຄວາມຄືບຫນ້າຂອງເຕັກໂນໂລຊີ, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ wafers monocrystalline silicon ໄດ້ສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ. ກະແສຫຼັກໃນຕະຫຼາດ.ຜະລິດຕະພັນ.ຄາດວ່າອັດຕາສ່ວນຂອງ wafers monocrystalline silicon ຈະບັນລຸປະມານ 96% ໃນປີ 2025, ແລະສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ monocrystalline silicon wafers ຈະບັນລຸ 97.7% ໃນປີ 2030. (ແຫຼ່ງລາຍງານ: Future Think Tank)
1.3.ແບດເຕີຣີ້: ແບດເຕີຣີ້ PERC ຄອບງໍາຕະຫຼາດ, ແລະການພັດທະນາແບດເຕີລີ່ n-type ຊຸກຍູ້ຄຸນນະພາບຂອງຜະລິດຕະພັນ.
ການເຊື່ອມຕໍ່ກາງຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic ປະກອບມີຈຸລັງ photovoltaic ແລະໂມດູນຈຸລັງ photovoltaic.ການປຸງແຕ່ງ wafers ຊິລິໂຄນເຂົ້າໄປໃນຈຸລັງແມ່ນຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດໃນການຮັບຮູ້ການປ່ຽນ photoelectric.ມັນໃຊ້ເວລາປະມານ 7 ຂັ້ນຕອນເພື່ອປະມວນຜົນເຊນທຳມະດາຈາກຊິລິຄອນ wafer.ທໍາອິດ, ເອົາຊິລິໂຄນ wafer ເຂົ້າໄປໃນອາຊິດ hydrofluoric ເພື່ອຜະລິດໂຄງສ້າງ suede ຄ້າຍຄື pyramid ເທິງຫນ້າດິນຂອງມັນ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນການສະທ້ອນຂອງແສງແດດແລະເພີ່ມການດູດຊຶມແສງສະຫວ່າງ;ອັນທີສອງແມ່ນ Phosphorus ຖືກກະຈາຍຢູ່ດ້ານຫນຶ່ງຂອງ wafer ຊິລິໂຄນເພື່ອສ້າງເປັນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ PN, ແລະຄຸນນະພາບຂອງມັນມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ປະສິດທິພາບຂອງເຊນ;ທີສາມແມ່ນເພື່ອເອົາ PN junction ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນຢູ່ຂ້າງຂອງ wafer ຊິລິຄອນໃນລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນຂອງການແຜ່ກະຈາຍເພື່ອປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ວົງຈອນສັ້ນຂອງເຊນ;ຊັ້ນຂອງຟິມຊິລິໂຄນ nitride ໄດ້ຖືກເຄືອບຢູ່ຂ້າງບ່ອນທີ່ຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ PN ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສະທ້ອນແສງສະຫວ່າງແລະໃນເວລາດຽວກັນເພີ່ມປະສິດທິພາບ;ອັນທີຫ້າແມ່ນການພິມ electrodes ໂລຫະຢູ່ດ້ານຫນ້າແລະດ້ານຫລັງຂອງ wafer ຊິລິໂຄນເພື່ອເກັບກໍາບັນດາຜູ້ຂົນສົ່ງຊົນເຜົ່າທີ່ຜະລິດໂດຍ photovoltaics;ວົງຈອນທີ່ພິມໃນຂັ້ນຕອນຂອງການພິມແມ່ນ sintered ແລະສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ, ແລະມັນຖືກປະສົມປະສານກັບ wafer ຊິລິໂຄນ, ນັ້ນແມ່ນ, ເຊນ;ສຸດທ້າຍ, ຈຸລັງທີ່ມີປະສິດຕິພາບທີ່ແຕກຕ່າງກັນໄດ້ຖືກຈັດປະເພດ.
ຈຸລັງຊິລິໂຄນ crystalline ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນເຮັດດ້ວຍ wafers ຊິລິຄອນເປັນ substrates, ແລະສາມາດແບ່ງອອກເປັນຈຸລັງ p-type ແລະຈຸລັງ n-type ຕາມປະເພດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນ.ໃນບັນດາພວກມັນ, ຈຸລັງ n-type ມີປະສິດທິພາບການປ່ຽນໃຈເຫລື້ອມໃສທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຄ່ອຍໆປ່ຽນແທນຈຸລັງ p-type ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້.P-type silicon wafers ແມ່ນເຮັດໂດຍ doping silicon ກັບ boron, ແລະ n-type silicon wafers ແມ່ນເຮັດດ້ວຍ phosphorus.ດັ່ງນັ້ນ, ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງອົງປະກອບ boron ໃນ wafer ຊິລິໂຄນປະເພດ n ແມ່ນຕ່ໍາ, ດັ່ງນັ້ນການຍັບຍັ້ງການຜູກມັດຂອງສະລັບສັບຊ້ອນ boron-oxygen, ປັບປຸງຊີວິດຂອງຜູ້ຂົນສົ່ງຊົນເຜົ່າສ່ວນນ້ອຍຂອງວັດສະດຸຊິລິຄອນ, ແລະໃນເວລາດຽວກັນ, ບໍ່ມີການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງໂດຍຮູບພາບ. ໃນຫມໍ້ໄຟ.ນອກຈາກນັ້ນ, ເຄື່ອງບັນທຸກຂອງຊົນເຜົ່າ n-type ແມ່ນຮູ, p-type carriers minority carriers ແມ່ນ electrons, ແລະ trapping cross-section of most impurity atoms for holes are smaller than that of electrons.ດັ່ງນັ້ນ, ຊີວິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຊົນເຜົ່າສ່ວນນ້ອຍຂອງຈຸລັງ n-type ແມ່ນສູງກວ່າແລະອັດຕາການປ່ຽນແປງ photoelectric ແມ່ນສູງກວ່າ.ອີງຕາມຂໍ້ມູນຫ້ອງທົດລອງ, ຂອບເຂດຈໍາກັດເທິງຂອງປະສິດທິພາບການແປງຂອງຈຸລັງ p-type ແມ່ນ 24,5%, ແລະປະສິດທິພາບການແປງຂອງຈຸລັງ n-type ແມ່ນສູງເຖິງ 28,7%, ດັ່ງນັ້ນຈຸລັງ n-type ເປັນຕົວແທນຂອງທິດທາງການພັດທະນາຂອງເຕັກໂນໂລຢີໃນອະນາຄົດ.ໃນປີ 2021, ຈຸລັງ n-type (ສ່ວນໃຫຍ່ລວມທັງຈຸລັງ heterojunction ແລະຈຸລັງ TOPCon) ມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂ້ອນຂ້າງສູງ, ແລະຂະຫນາດຂອງການຜະລິດຈໍານວນຫລາຍຍັງນ້ອຍ.ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດໃນປະຈຸບັນແມ່ນປະມານ 3%, ເຊິ່ງໂດຍພື້ນຖານແລ້ວແມ່ນຄືກັນກັບໃນປີ 2020.
ໃນປີ 2021, ປະສິດທິພາບການແປງຂອງຈຸລັງປະເພດ n ຈະໄດ້ຮັບການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະຄາດວ່າຈະມີພື້ນທີ່ເພີ່ມເຕີມສໍາລັບຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີໃນຫ້າປີຂ້າງຫນ້າ.ໃນປີ 2021, ການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງຈຸລັງ monocrystalline p-type ຈະໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ PERC, ແລະປະສິດທິພາບການແປງສະເລ່ຍຈະບັນລຸ 23,1%, ເພີ່ມຂຶ້ນ 0,3 ຈຸດສ່ວນຮ້ອຍເມື່ອທຽບກັບ 2020;ປະສິດທິພາບການແປງຂອງເຊນຊິລິໂຄນສີດໍາ polycrystalline ໂດຍໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ PERC ຈະບັນລຸ 21.0%, ເມື່ອທຽບກັບປີ 2020. ເພີ່ມຂຶ້ນປະຈໍາປີ 0.2 ຈຸດສ່ວນຮ້ອຍ;ການປັບປຸງປະສິດທິພາບຈຸລັງ polycrystalline black silicon ທໍາມະດາແມ່ນບໍ່ແຂງແຮງ, ປະສິດທິພາບການແປງໃນປີ 2021 ຈະມີປະມານ 19.5%, ພຽງແຕ່ 0.1 ເປີເຊັນສູງກວ່າ, ແລະພື້ນທີ່ການປັບປຸງປະສິດທິພາບໃນອະນາຄົດແມ່ນຈໍາກັດ;ປະສິດທິພາບການແປງສະເລ່ຍຂອງຈຸລັງ INGOT monocrystalline PERC ແມ່ນ 22.4%, ເຊິ່ງແມ່ນ 0.7 ຈຸດສ່ວນຮ້ອຍຕ່ໍາກວ່າຈຸລັງ monocrystalline PERC;ປະສິດທິພາບການແປງສະເລ່ຍຂອງຈຸລັງ TOPCon n-type ບັນລຸ 24%, ແລະປະສິດທິພາບການແປງສະເລ່ຍຂອງຈຸລັງ heterojunction ບັນລຸ 24.2%, ທັງສອງໄດ້ຮັບການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບປີ 2020, ແລະປະສິດທິພາບການແປງສະເລ່ຍຂອງຈຸລັງ IBC ບັນລຸ 24.2%.ດ້ວຍການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີໃນອະນາຄົດ, ເຕັກໂນໂລຢີຫມໍ້ໄຟເຊັ່ນ TBC ແລະ HBC ອາດຈະສືບຕໍ່ມີຄວາມກ້າວຫນ້າ.ໃນອະນາຄົດ, ດ້ວຍການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດແລະການປັບປຸງຜົນຜະລິດ, ແບດເຕີລີ່ n-type ຈະເປັນຫນຶ່ງໃນທິດທາງການພັດທະນາຕົ້ນຕໍຂອງເຕັກໂນໂລຢີຫມໍ້ໄຟ.
ຈາກທັດສະນະຂອງເສັ້ນທາງເທກໂນໂລຍີແບດເຕີຣີ, ການປັບປຸງໃຫມ່ຂອງເຕັກໂນໂລຢີຂອງແບດເຕີລີ່ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຜ່ານ BSF, PERC, TOPCon ໂດຍອີງໃສ່ການປັບປຸງ PERC, ແລະ HJT, ເຕັກໂນໂລຢີໃຫມ່ທີ່ທໍາລາຍ PERC;TOPCon ສາມາດຖືກລວມເຂົ້າກັບ IBC ເພື່ອສ້າງ TBC, ແລະ HJT ຍັງສາມາດຖືກລວມເຂົ້າກັບ IBC ເພື່ອກາຍເປັນ HBC.ຈຸລັງ monocrystalline P-type ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ PERC, ຈຸລັງ polycrystalline p-type ປະກອບມີຈຸລັງ polycrystalline ສີດໍາແລະຈຸລັງ monocrystalline ingot, ຕໍ່ມາຫມາຍເຖິງການເພີ່ມຂອງເມັດເມັດ monocrystalline ບົນພື້ນຖານຂອງຂະບວນການ ingot polycrystalline ທໍາມະດາ, ການແຂງຕົວຂອງທິດທາງຫຼັງຈາກນັ້ນ, a ກ້ອນຊິລິໂຄນຮຽບຮ້ອຍຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ, ແລະ wafer ຊິລິໂຄນປະສົມກັບໄປເຊຍກັນດຽວແລະ polycrystalline ແມ່ນເຮັດໂດຍຜ່ານຂະບວນການປຸງແຕ່ງຫຼາຍ.ເນື່ອງຈາກວ່າມັນໃຊ້ເສັ້ນທາງການກະກຽມ polycrystalline ທີ່ຈໍາເປັນ, ມັນຖືກລວມຢູ່ໃນປະເພດຂອງຈຸລັງ polycrystalline p-type.ຈຸລັງປະເພດ n ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີຈຸລັງ TOPCon monocrystalline, ຈຸລັງ HJT monocrystalline ແລະຈຸລັງ IBC monocrystalline.ໃນປີ 2021, ສາຍການຜະລິດຂະໜາດໃຫຍ່ໃໝ່ຈະຍັງຖືກຄອບງຳໂດຍສາຍການຜະລິດເຊລ PERC, ແລະ ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງເຊລ PERC ຈະເພີ່ມຂຶ້ນອີກເປັນ 91.2%.ເນື່ອງຈາກຄວາມຕ້ອງການຂອງຜະລິດຕະພັນສໍາລັບໂຄງການນອກແລະໃນຄົວເຮືອນໄດ້ສຸມໃສ່ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງແບດເຕີລີ່ BSF ຈະຫຼຸດລົງຈາກ 8.8% ເປັນ 5% ໃນປີ 2021.
1.4.ໂມດູນ: ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງຈຸລັງກວມເອົາສ່ວນຕົ້ນຕໍ, ແລະພະລັງງານຂອງໂມດູນແມ່ນຂຶ້ນກັບຈຸລັງ
ຂັ້ນຕອນການຜະລິດຂອງໂມດູນ photovoltaic ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີການເຊື່ອມຕໍ່ກັນຂອງເຊນແລະ lamination, ແລະຈຸລັງກວມເອົາສ່ວນສໍາຄັນຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທັງຫມົດຂອງໂມດູນ.ເນື່ອງຈາກວ່າປະຈຸບັນແລະແຮງດັນຂອງຈຸລັງດຽວມີຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍ, ຈຸລັງຈໍາເປັນຕ້ອງເຊື່ອມຕໍ່ກັນໂດຍຜ່ານແຖບລົດເມ.ຢູ່ທີ່ນີ້, ພວກມັນເຊື່ອມຕໍ່ເປັນຊຸດເພື່ອເພີ່ມແຮງດັນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານເພື່ອໃຫ້ໄດ້ກະແສໄຟຟ້າສູງ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນແກ້ວ photovoltaic, EVA ຫຼື POE, ແຜ່ນຫມໍ້ໄຟ, EVA ຫຼື POE, ແຜ່ນດ້ານຫລັງຖືກປະທັບຕາແລະກົດດັນໃນຄໍາສັ່ງທີ່ແນ່ນອນ. , ແລະສຸດທ້າຍໄດ້ປ້ອງກັນໂດຍກອບອາລູມິນຽມແລະຂອບປະທັບຕາຊິລິໂຄນ.ຈາກທັດສະນະຂອງອົງປະກອບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍວັດສະດຸກວມເອົາ 75%, ຄອບຄອງຕໍາແຫນ່ງຕົ້ນຕໍ, ຕິດຕາມດ້ວຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍການຜະລິດ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການປະຕິບັດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແຮງງານ.ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງວັດສະດຸແມ່ນນໍາພາໂດຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງຈຸລັງ.ອີງຕາມການປະກາດຈາກບໍລິສັດຈໍານວນຫຼາຍ, ຈຸລັງກວມເອົາປະມານ 2/3 ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທັງຫມົດຂອງໂມດູນ photovoltaic.
ໂມດູນ photovoltaic ປົກກະຕິແລ້ວແບ່ງອອກຕາມປະເພດຈຸລັງ, ຂະຫນາດ, ແລະປະລິມານ.ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນໃນພະລັງງານຂອງໂມດູນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແຕ່ພວກເຂົາທັງຫມົດແມ່ນຢູ່ໃນຂັ້ນຕອນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.ພະລັງງານແມ່ນຕົວຊີ້ວັດທີ່ສໍາຄັນຂອງໂມດູນ photovoltaic, ເປັນຕົວແທນຂອງຄວາມສາມາດຂອງໂມດູນທີ່ຈະປ່ຽນພະລັງງານແສງຕາເວັນເປັນໄຟຟ້າ.ມັນສາມາດເຫັນໄດ້ຈາກສະຖິຕິພະລັງງານຂອງປະເພດຕ່າງໆຂອງໂມດູນ photovoltaic ທີ່ເມື່ອຂະຫນາດແລະຈໍານວນຈຸລັງໃນໂມດູນແມ່ນຄືກັນ, ພະລັງງານຂອງໂມດູນແມ່ນ n-type single crystal > p-type single crystal > polycrystalline;ຂະຫນາດແລະປະລິມານຂະຫນາດໃຫຍ່, ພະລັງງານຂອງໂມດູນຫຼາຍ;ສໍາລັບ TOPCon ໂມດູນໄປເຊຍກັນດຽວແລະໂມດູນ heterojunction ຂອງສະເປັກດຽວກັນ, ພະລັງງານຂອງຫລັງແມ່ນໃຫຍ່ກວ່າຂອງອະດີດ.ອີງຕາມການຄາດຄະເນຂອງ CPIA, ພະລັງງານຂອງໂມດູນຈະເພີ່ມຂຶ້ນ 5-10W ຕໍ່ປີໃນສອງສາມປີຂ້າງຫນ້າ.ນອກຈາກນັ້ນ, ການຫຸ້ມຫໍ່ຂອງໂມດູນຈະນໍາເອົາການສູນເສຍພະລັງງານທີ່ແນ່ນອນ, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນລວມທັງການສູນເສຍ optical ແລະການສູນເສຍໄຟຟ້າ.ອະດີດແມ່ນເກີດມາຈາກການສົ່ງຕໍ່ແລະ optical ບໍ່ກົງກັນຂອງວັດສະດຸຫຸ້ມຫໍ່ເຊັ່ນແກ້ວ photovoltaic ແລະ EVA, ແລະອັນສຸດທ້າຍແມ່ນຫມາຍເຖິງການນໍາໃຊ້ຈຸລັງແສງຕາເວັນໃນຊຸດ.ການສູນເສຍວົງຈອນທີ່ເກີດຈາກຄວາມຕ້ານທານຂອງໂບເຊື່ອມແລະແຖບລົດເມຕົວມັນເອງ, ແລະການສູນເສຍບໍ່ກົງກັນໃນປະຈຸບັນທີ່ເກີດຈາກການເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານຂອງຈຸລັງ, ການສູນເສຍພະລັງງານທັງຫມົດຂອງທັງສອງກວມເອົາປະມານ 8%.
1.5.ຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງໄຟຟ້າ: ນະໂຍບາຍຂອງບັນດາປະເທດຕ່າງໆໄດ້ຖືກຂັບເຄື່ອນຢ່າງແນ່ນອນ, ແລະມີພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງໃຫມ່ໃນອະນາຄົດ.
ໂລກໄດ້ບັນລຸໄດ້ຄວາມເຫັນດີເຫັນພ້ອມໂດຍພື້ນຖານກ່ຽວກັບການປ່ອຍການປ່ອຍອາຍພິດສຸດທິພາຍໃຕ້ເປົ້າຫມາຍການປົກປັກຮັກສາສິ່ງແວດລ້ອມ, ແລະເສດຖະກິດຂອງບັນດາໂຄງການ photovoltaic superimposed ໄດ້ປະກົດຂຶ້ນເທື່ອລະກ້າວ.ບັນດາປະເທດພວມຕັ້ງໜ້າຄົ້ນຄ້ວາການພັດທະນາການຜະລິດພະລັງງານໄຟຟ້າທົດແທນ.ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ບັນດາປະເທດໃນທົ່ວໂລກໄດ້ໃຫ້ຄຳໝັ້ນສັນຍາຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍອາຍພິດກາກບອນ.ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຜູ້ປ່ອຍອາຍແກັສເຮືອນແກ້ວທີ່ສໍາຄັນໄດ້ກໍານົດເປົ້າຫມາຍພະລັງງານທົດແທນທີ່ສອດຄ້ອງກັນ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງຂອງພະລັງງານທົດແທນແມ່ນໃຫຍ່ຫຼວງ.ອີງຕາມເປົ້າຫມາຍການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມ 1.5 ℃, IRENA ຄາດຄະເນວ່າຄວາມສາມາດພະລັງງານທົດແທນທີ່ຕິດຕັ້ງໃນທົ່ວໂລກຈະບັນລຸ 10.8TW ໃນປີ 2030. ນອກຈາກນັ້ນ, ຕາມຂໍ້ມູນ WOODMac , ລະດັບຄ່າໄຟຟ້າ (LCOE) ຂອງການຜະລິດພະລັງງານແສງຕາເວັນໃນປະເທດຈີນ, ອິນເດຍ. ສະຫະລັດແລະປະເທດອື່ນໆແມ່ນແລ້ວຕ່ໍາກວ່າພະລັງງານ fossil ລາຄາຖືກທີ່ສຸດ, ແລະຈະຫຼຸດລົງຕື່ມອີກໃນອະນາຄົດ.ການຊຸກຍູ້ຢ່າງຫ້າວຫັນຂອງນະໂຍບາຍໃນປະເທດຕ່າງໆແລະເສດຖະກິດຂອງການຜະລິດໄຟຟ້າ photovoltaic ໄດ້ນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງກໍາລັງຕິດຕັ້ງສະສົມຂອງ photovoltaic ໃນໂລກແລະປະເທດຈີນໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້.ແຕ່ປີ 2012 ຫາປີ 2021, ຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງສະສົມຂອງ photovoltaics ໃນໂລກຈະເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 104.3GW ເປັນ 849.5GW, ແລະ ຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງສະສົມຂອງ photovoltaics ຂອງຈີນຈະເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 6.7GW ເປັນ 307GW, ເພີ່ມຂຶ້ນຫຼາຍກວ່າ 44 ເທົ່າ.ນອກນີ້, ຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງໄຟຟ້າທີ່ໄດ້ຮັບການຕິດຕັ້ງໃໝ່ຂອງຈີນກວມເອົາຫຼາຍກວ່າ 20% ຂອງຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງທັງໝົດຂອງໂລກ.ໃນປີ 2021, ຄວາມສາມາດຜະລິດໄຟຟ້າທີ່ຕິດຕັ້ງໃໝ່ຂອງຈີນແມ່ນ 53GW, ກວມເອົາປະມານ 40% ຂອງກຳລັງການຕິດຕັ້ງໃໝ່ຂອງໂລກ.ນີ້ຕົ້ນຕໍແມ່ນຍ້ອນການແຈກຢາຍແຫຼ່ງພະລັງງານເບົາທີ່ອຸດົມສົມບູນແລະເປັນເອກະພາບຂອງຈີນ, ເຂດຕົ້ນນ້ຳແລະລຸ່ມນ້ຳທີ່ພັດທະນາດີ, ແລະການສະໜັບສະໜູນຢ່າງແຂງແຮງຂອງນະໂຍບາຍແຫ່ງຊາດ.ໃນໄລຍະນີ້, ຈີນໄດ້ມີບົດບາດອັນໃຫຍ່ຫຼວງໃນການຜະລິດພະລັງງານໄຟຟ້າແສງຕາເວັນ, ຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງສະສົມໄດ້ກວມເອົາບໍ່ຮອດ 6,5%.ເພີ່ມຂຶ້ນເປັນ 36.14%.
ອີງຕາມການວິເຄາະຂ້າງເທິງ, CPIA ໄດ້ໃຫ້ການຄາດຄະເນສໍາລັບການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ເພີ່ມຂຶ້ນໃຫມ່ຈາກ 2022 ຫາ 2030 ທົ່ວໂລກ.ຄາດຄະເນວ່າພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທັງໃນແງ່ດີແລະແບບອະນຸລັກ, ຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງໃໝ່ຂອງໂລກໃນປີ 2030 ຈະເປັນ 366 ແລະ 315GW ຕາມລຳດັບ, ແລະກຳລັງຕິດຕັ້ງໃໝ່ຂອງຈີນຈະມີ 128,105GW.ຂ້າງລຸ່ມນີ້ພວກເຮົາຈະຄາດຄະເນຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ໂດຍອີງໃສ່ຂະຫນາດຂອງຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງໃຫມ່ໃນແຕ່ລະປີ.
1.6.ການຄາດຄະເນຄວາມຕ້ອງການຂອງ polysilicon ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ photovoltaic
ຈາກ 2022 ຫາ 2030, ອີງຕາມການຄາດຄະເນຂອງ CPIA ສໍາລັບການຕິດຕັ້ງ PV ທົ່ວໂລກທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃຫມ່ພາຍໃຕ້ສະຖານະການໃນແງ່ດີແລະແບບອະນຸລັກ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ PV ສາມາດຄາດຄະເນໄດ້.ຈຸລັງເປັນຂັ້ນຕອນສໍາຄັນທີ່ຈະຮັບຮູ້ການແປງ photoelectric, ແລະ silicon wafers ເປັນວັດຖຸດິບພື້ນຖານຂອງຈຸລັງແລະນ້ໍາໂດຍກົງຂອງ polysilicon, ສະນັ້ນມັນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ສໍາຄັນຂອງການຄາດຄະເນຄວາມຕ້ອງການ polysilicon.ຈໍານວນນ້ໍາຫນັກຂອງຕ່ອນຕໍ່ກິໂລຂອງ rods Silicon ແລະ ingots ສາມາດໄດ້ຮັບການຄິດໄລ່ຈາກຈໍານວນຂອງຕ່ອນຕໍ່ກິໂລແລະສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ rods silicon ແລະ ingots.ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ອີງຕາມການພະລັງງານແລະສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ wafers ຊິລິໂຄນຂອງຂະຫນາດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ພະລັງງານນ້ໍາຫນັກຂອງ wafers ຊິລິໂຄນສາມາດໄດ້ຮັບ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຈໍານວນທີ່ຕ້ອງການຂອງ wafers ຊິລິໂຄນສາມາດຄາດຄະເນໄດ້ຕາມຄວາມອາດສາມາດ photovoltaic ຕິດຕັ້ງໃຫມ່.ຕໍ່ໄປ, ນ້ໍາຫນັກຂອງແຜ່ນ silicon ແລະ ingots ທີ່ຕ້ອງການສາມາດໄດ້ຮັບໂດຍອີງຕາມການພົວພັນດ້ານປະລິມານລະຫວ່າງຈໍານວນຂອງ silicon wafers ແລະຈໍານວນນ້ໍາຫນັກຂອງ silicon rods ແລະ ingots ຊິລິໂຄນຕໍ່ກິໂລ.ນອກຈາກນັ້ນ, ບວກໃສ່ກັບການບໍລິໂພກຊິລິໂຄນທີ່ມີນ້ໍາຫນັກຂອງ rods / silicon, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບຄວາມອາດສາມາດ photovoltaic ຕິດຕັ້ງໃຫມ່ສາມາດໄດ້ຮັບໃນທີ່ສຸດ.ອີງຕາມຜົນໄດ້ຮັບຂອງການຄາດຄະເນ, ຄວາມຕ້ອງການທົ່ວໂລກສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ໃຫມ່ໃນຫ້າປີທີ່ຜ່ານມາຈະສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ສູງສຸດໃນປີ 2027, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຫຼຸດລົງເລັກນ້ອຍໃນສາມປີຂ້າງຫນ້າ.ມັນໄດ້ຖືກຄາດຄະເນວ່າພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂໃນແງ່ດີແລະອະນຸລັກໃນປີ 2025, ຄວາມຕ້ອງການປະຈໍາປີທົ່ວໂລກສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ຈະເປັນ 1,108,900 ໂຕນແລະ 907,800 ໂຕນຕາມລໍາດັບ, ແລະຄວາມຕ້ອງການທົ່ວໂລກສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ photovoltaic ໃນປີ 2030 ຈະເປັນ 1,042,100 ໂຕນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການອະນຸລັກ. ., 896,900 ໂຕນ.ຕາມຂ່າວຈາກຈີນອັດຕາສ່ວນຂອງຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ທົ່ວໂລກ,ຄວາມຕ້ອງການຂອງຈີນສໍາລັບ polysilicon ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ photovoltaic ໃນປີ 2025ຄາດວ່າຈະໄດ້ 369,600 ໂຕນ ແລະ 302,600 ໂຕນ ຕາມລໍາດັບ ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂໃນແງ່ດີ ແລະ ອະນຸລັກ, ແລະ 739,300 ໂຕນ ແລະ 605,200 ໂຕນ ຕ່າງປະເທດ ຕາມລໍາດັບ.
2, ຄວາມຕ້ອງການສຸດທ້າຍຂອງ semiconductor: ຂະຫນາດແມ່ນຫຼາຍຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າຄວາມຕ້ອງການໃນພາກສະຫນາມ photovoltaic, ແລະການຂະຫຍາຍຕົວໃນອະນາຄົດສາມາດຄາດຫວັງ.
ນອກເຫນືອໄປຈາກການເຮັດໃຫ້ຈຸລັງ photovoltaic, polysilicon ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດຖຸດິບສໍາລັບການເຮັດ chip ແລະຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂົງເຂດ semiconductor, ເຊິ່ງສາມາດແບ່ງອອກເປັນການຜະລິດລົດໃຫຍ່, ເອເລັກໂຕຣນິກອຸດສາຫະກໍາ, ການສື່ສານເອເລັກໂຕຣນິກ, ເຄື່ອງໃຊ້ໃນເຮືອນແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.ຂະບວນການຈາກ polysilicon ກັບ chip ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແບ່ງອອກເປັນສາມຂັ້ນຕອນ.ຫນ້າທໍາອິດ, polysilicon ໄດ້ຖືກແຕ້ມເຂົ້າໄປໃນ monocrystalline silicon ingots, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຕັດເຂົ້າໄປໃນ wafers ຊິລິໂຄນບາງໆ.wafers ຊິລິໂຄນແມ່ນຜະລິດໂດຍຜ່ານໄລຍະການ grinding, chamfering ແລະ polishing ການດໍາເນີນງານ., ຊຶ່ງເປັນວັດຖຸດິບພື້ນຖານຂອງໂຮງງານ semiconductor.ສຸດທ້າຍ, silicon wafer ໄດ້ຖືກຕັດແລະ laser engraved ເຂົ້າໄປໃນໂຄງສ້າງວົງຈອນຕ່າງໆເພື່ອເຮັດໃຫ້ຜະລິດຕະພັນ chip ມີລັກສະນະສະເພາະໃດຫນຶ່ງ.wafers ຊິລິຄອນທົ່ວໄປສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີ wafers ຂັດ, wafers epitaxial ແລະ SOI wafers.wafer ຂັດແມ່ນອຸປະກອນການຜະລິດຊິບທີ່ມີຄວາມຮາບພຽງຢູ່ສູງທີ່ໄດ້ຮັບໂດຍການຂັດແຜ່ນ silicon wafer ເພື່ອເອົາຊັ້ນທີ່ເສຍຫາຍຢູ່ເທິງຫນ້າດິນ, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ໂດຍກົງເພື່ອເຮັດໃຫ້ chip, epitaxial wafers ແລະ SOI silicon wafers.wafers Epitaxial ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial ຂອງ wafers ຂັດ, ໃນຂະນະທີ່ SOI wafers ຊິລິຄອນແມ່ນ fabricated ໂດຍການຜູກມັດຫຼື ion implantation ໃນ substrates wafer ຂັດ, ແລະຂະບວນການກະກຽມແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຍາກ.
ໂດຍຜ່ານຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບໂພລີຊິລິຄອນໃນດ້ານ semiconductor ໃນປີ 2021, ບວກກັບການຄາດຄະເນຂອງອົງການກ່ຽວກັບອັດຕາການເຕີບໂຕຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໃນສອງສາມປີຂ້າງຫນ້າ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ໃນຂົງເຂດ semiconductor ຈາກ 2022 ຫາ 2025 ສາມາດຄາດຄະເນໄດ້ປະມານ.ໃນປີ 2021, ການຜະລິດໂພລີຊິລິຄອນຊັ້ນເອເລັກໂຕຣນິກທົ່ວໂລກຈະກວມເອົາປະມານ 6% ຂອງການຜະລິດໂພລີຊິລິຄອນທັງໝົດ, ແລະ ໂພລີຊິລິຄອນຊັ້ນແສງຕາເວັນ ແລະ ຊິລິໂຄນຂະໜາດເມັດຈະກວມເອົາປະມານ 94%.polysilicon ລະດັບເອເລັກໂຕຣນິກສ່ວນໃຫຍ່ຖືກນໍາໃຊ້ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor, ແລະ polysilicon ອື່ນໆແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍພື້ນຖານໃນອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic..ດັ່ງນັ້ນ, ມັນສາມາດສົມມຸດວ່າປະລິມານຂອງໂພລີຊິລິຄອນທີ່ໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໃນປີ 2021 ແມ່ນປະມານ 37,000 ໂຕນ.ນອກຈາກນັ້ນ, ອີງຕາມອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໃນອະນາຄົດທີ່ຄາດຄະເນໂດຍ FortuneBusiness Insights, ຄວາມຕ້ອງການ polysilicon ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ semiconductor ຈະເພີ່ມຂຶ້ນໃນອັດຕາປະຈໍາປີ 8.6% ຈາກ 2022 ຫາ 2025. ຄາດຄະເນວ່າໃນປີ 2025, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor ຈະມີປະມານ 51,500 ໂຕນ.(ແຫຼ່ງຂ່າວ: Future Think Tank)
3, ການນໍາເຂົ້າແລະສົ່ງອອກ Polysilicon: ການນໍາເຂົ້າເກີນການສົ່ງອອກ, ໂດຍເຢຍລະມັນແລະມາເລເຊຍກວມເອົາອັດຕາສ່ວນທີ່ສູງກວ່າ
ໃນປີ 2021, ປະມານ 18.63% ຂອງຄວາມຕ້ອງການ polysilicon ຂອງຈີນຈະມາຈາກການນໍາເຂົ້າ, ແລະຂະຫນາດຂອງການນໍາເຂົ້າເກີນຂະຫນາດຂອງການສົ່ງອອກ.ຈາກ 2017 ຫາ 2021, ຮູບແບບການນໍາເຂົ້າແລະສົ່ງອອກຂອງ polysilicon ແມ່ນຄອບງໍາໂດຍການນໍາເຂົ້າ, ເຊິ່ງອາດຈະເປັນຍ້ອນຄວາມຕ້ອງການທາງລຸ່ມຂອງອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic ທີ່ເຂັ້ມແຂງທີ່ໄດ້ພັດທະນາຢ່າງໄວວາໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ແລະຄວາມຕ້ອງການຂອງ polysilicon ກວມເອົາຫຼາຍກ່ວາ 94%. ຄວາມຕ້ອງການທັງຫມົດ;ນອກຈາກນັ້ນ, ບໍລິສັດຍັງບໍ່ທັນໄດ້ຊໍານິຊໍານານໃນເທກໂນໂລຍີການຜະລິດໂພລີຊິລິຄອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ດັ່ງນັ້ນບາງໂພລີຊິລິຄອນທີ່ຕ້ອງການໂດຍອຸດສາຫະກໍາວົງຈອນປະສົມປະສານຍັງຕ້ອງອີງໃສ່ການນໍາເຂົ້າ.ອີງຕາມຂໍ້ມູນຂອງສາຂາອຸດສາຫະກໍາຊິລິໂຄນ, ປະລິມານການນໍາເຂົ້າຍັງສືບຕໍ່ຫຼຸດລົງໃນປີ 2019 ແລະ 2020. ເຫດຜົນພື້ນຖານຂອງການຫຼຸດລົງຂອງການນໍາເຂົ້າ polysilicon ໃນປີ 2019 ແມ່ນການເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງກໍາລັງການຜະລິດ, ເຊິ່ງເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 388,000 ໂຕນໃນປີ 2018 ເປັນ 452,000 ໂຕນ. ໃນ 2019. ໃນຂະນະດຽວກັນ, OCI, REC, HANWHA ບາງບໍລິສັດຕ່າງປະເທດ, ເຊັ່ນບໍລິສັດຕ່າງປະເທດຈໍານວນຫນຶ່ງ, ໄດ້ຖອນຕົວອອກຈາກອຸດສາຫະກໍາ polysilicon ເນື່ອງຈາກການສູນເສຍ, ດັ່ງນັ້ນການເພິ່ງພາອາໄສການນໍາເຂົ້າຂອງ polysilicon ແມ່ນຕ່ໍາຫຼາຍ;ເຖິງແມ່ນວ່າກໍາລັງການຜະລິດບໍ່ໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນໃນປີ 2020, ຜົນກະທົບຂອງການລະບາດໄດ້ເຮັດໃຫ້ການຊັກຊ້າໃນການກໍ່ສ້າງໂຄງການ photovoltaic, ແລະຈໍານວນຂອງຄໍາສັ່ງ polysilicon ໄດ້ຫຼຸດລົງໃນໄລຍະເວລາດຽວກັນ.ໃນປີ 2021, ຕະຫຼາດໄຟຟ້າຂອງຈີນຈະພັດທະນາຢ່າງວ່ອງໄວ, ການຊົມໃຊ້ໂພລີຊິລິຄອນຈະບັນລຸ 613.000 ໂຕນ, ເຮັດໃຫ້ປະລິມານການນຳເຂົ້າຟື້ນຕົວຄືນໃໝ່.ໃນ 5 ປີຜ່ານມາ, ປະລິມານການນຳເຂົ້າໂພລີຊິລິຄອນສຸດທິຂອງຈີນມີຢູ່ລະຫວ່າງ 90.000 ຫາ 140.000 ໂຕນ, ໃນນັ້ນປະມານ 103.800 ໂຕນໃນປີ 2021. ຄາດວ່າປະລິມານການນຳເຂົ້າໂພລີຊິລິຄອນສຸດທິຂອງຈີນຈະຮັກສາຢູ່ປະມານ 100.000 ໂຕນຕໍ່ປີ ແຕ່ປີ 2025 ຫາ 2025.
ການນໍາເຂົ້າ polysilicon ຂອງຈີນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນມາຈາກເຢຍລະມັນ, ມາເລເຊຍ, ຍີ່ປຸ່ນແລະໄຕ້ຫວັນ, ຈີນ, ແລະການນໍາເຂົ້າທັງຫມົດຈາກສີ່ປະເທດນີ້ຈະກວມເອົາ 90.51% ໃນປີ 2021. ປະມານ 45% ຂອງການນໍາເຂົ້າ polysilicon ຂອງຈີນແມ່ນມາຈາກເຢຍລະມັນ, 26% ຈາກມາເລເຊຍ, 13.5% ຈາກຍີ່ປຸ່ນ, ແລະ 6% ຈາກໄຕ້ຫວັນ.ເຢຍລະມັນເປັນເຈົ້າຂອງ polysilicon ຍັກໃຫຍ່ຂອງໂລກ WACKER, ເຊິ່ງເປັນແຫຼ່ງທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງ polysilicon ຕ່າງປະເທດ, ກວມເອົາ 12.7% ຂອງກໍາລັງການຜະລິດທັງຫມົດໃນທົ່ວໂລກໃນປີ 2021;ມາເລເຊຍມີສາຍການຜະລິດໂພລີຊິລິຄອນເປັນຈຳນວນຫຼວງຫຼາຍຈາກບໍລິສັດ OCI ຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ ຊຶ່ງມີຕົ້ນກຳເນີດຈາກສາຍການຜະລິດເດີມຢູ່ມາເລເຊຍຂອງບໍລິສັດ TOKUYAMA ຊຶ່ງເປັນບໍລິສັດຂອງຍີ່ປຸ່ນ OCI ຊື້ມາ.ມີໂຮງງານແລະໂຮງງານຈໍານວນຫນຶ່ງທີ່ OCI ຍ້າຍຈາກເກົາຫລີໃຕ້ໄປມາເລເຊຍ.ເຫດຜົນຂອງການຍົກຍ້າຍແມ່ນຍ້ອນວ່າມາເລເຊຍໃຫ້ພື້ນທີ່ໂຮງງານຟຣີແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງໄຟຟ້າຕ່ໍາກວ່າຫນຶ່ງສ່ວນສາມຂອງເກົາຫຼີໃຕ້;ຍີ່ປຸ່ນແລະໄຕ້ຫວັນ, ຈີນມີ TOKUYAMA , GET ແລະບໍລິສັດອື່ນໆ, ທີ່ຄອບຄອງສ່ວນໃຫຍ່ຂອງການຜະລິດ polysilicon.ສະຖານທີ່.ໃນປີ 2021, ຜົນຜະລິດໂພລີຊິລິໂຄນຈະເປັນ 492,000 ໂຕນ, ເຊິ່ງຄວາມອາດສາມາດຂອງ photovoltaic ທີ່ຕິດຕັ້ງໃຫມ່ແລະຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດຊິບຈະເປັນ 206,400 ໂຕນແລະ 1,500 ໂຕນຕາມລໍາດັບ, ແລະສ່ວນທີ່ເຫຼືອ 284,100 ໂຕນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງຕ່ໍາແລະສົ່ງອອກຕ່າງປະເທດ.ໃນການເຊື່ອມຕໍ່ລຸ່ມຂອງ polysilicon, silicon wafers, ຈຸລັງແລະໂມດູນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສົ່ງອອກ, ໃນນັ້ນການສົ່ງອອກຂອງໂມດູນແມ່ນເປັນທີ່ໂດດເດັ່ນໂດຍສະເພາະ.ໃນປີ 2021, 4.64 ຕື້ wafers ຊິລິໂຄນແລະ 3.2 ຕື້ຈຸລັງ photovoltaic ໄດ້.ສົ່ງອອກຈາກປະເທດຈີນ, ມີການສົ່ງອອກທັງຫມົດ 22.6GW ແລະ 10.3GW ຕາມລໍາດັບ, ແລະການສົ່ງອອກຂອງໂມດູນ photovoltaic ແມ່ນ 98.5GW, ມີການນໍາເຂົ້າຫນ້ອຍຫຼາຍ.ໃນດ້ານການປະກອບມູນຄ່າການສົ່ງອອກ, ການສົ່ງອອກແບບໂມດູນໃນປີ 2021 ຈະບັນລຸ 24,61 ຕື້ໂດລາສະຫະລັດ, ກວມເອົາ 86%, ຮອງລົງມາແມ່ນຊິລິໂຄນ ແລະແບັດເຕີຣີ.ໃນປີ 2021, ຜົນຜະລິດຂອງໂລກຂອງຊິລິໂຄນ wafers, ຈຸລັງ photovoltaic, ແລະໂມດູນ photovoltaic ຈະບັນລຸ 97.3%, 85.1%, ແລະ 82.3%, ຕາມລໍາດັບ.ຄາດວ່າ, ອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic ທົ່ວໂລກຈະສືບຕໍ່ສຸມໃສ່ປະເທດຈີນພາຍໃນສາມປີຂ້າງຫນ້າ, ແລະປະລິມານຜົນຜະລິດແລະການສົ່ງອອກຂອງແຕ່ລະເຊື່ອມຕໍ່ຈະຫຼາຍ.ດັ່ງນັ້ນ, ຄາດຄະເນວ່າແຕ່ປີ 2022 ຫາ 2025, ປະລິມານໂພລີຊິລິຄອນທີ່ນຳໃຊ້ເຂົ້າໃນການປຸງແຕ່ງ ແລະ ຜະລິດຜະລິດຕະພັນລຸ່ມນ້ຳ ແລະ ສົ່ງອອກຕ່າງປະເທດຈະເພີ່ມຂຶ້ນເທື່ອລະກ້າວ.ມັນໄດ້ຖືກຄາດຄະເນໂດຍການຫັກອອກການຜະລິດຈາກຕ່າງປະເທດຈາກຄວາມຕ້ອງການ polysilicon ຕ່າງປະເທດ.ໃນປີ 2025, ໂພລີຊິລິຄອນທີ່ຜະລິດຈາກການປຸງແຕ່ງເປັນຜະລິດຕະພັນລຸ່ມນ້ຳຈະໄດ້ຄາດຄະເນວ່າຈະສົ່ງອອກໄປຕ່າງປະເທດຈາກຈີນ 583.000 ໂຕນ.
4, ບົດສະຫຼຸບແລະການຄາດຄະເນ
ຄວາມຕ້ອງການ polysilicon ທົ່ວໂລກແມ່ນສຸມໃສ່ຕົ້ນຕໍໃນພາກສະຫນາມ photovoltaic, ແລະຄວາມຕ້ອງການໃນຂົງເຂດ semiconductor ບໍ່ແມ່ນຄໍາສັ່ງຂອງຂະຫນາດ.ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ແມ່ນຂັບເຄື່ອນໂດຍການຕິດຕັ້ງ photovoltaic, ແລະຄ່ອຍໆຖືກສົ່ງໄປຫາ polysilicon ໂດຍຜ່ານການເຊື່ອມຕໍ່ຂອງ photovoltaic modules-cell-wafer, ສ້າງຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບມັນ.ໃນອະນາຄົດ, ດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງ photovoltaic ທົ່ວໂລກ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບ polysilicon ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ optimistic.ໃນແງ່ດີ, ການຕິດຕັ້ງ PV ຂອງຈີນແລະຕ່າງປະເທດທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃຫມ່ເຮັດໃຫ້ຄວາມຕ້ອງການຂອງ polysilicon ໃນປີ 2025 ຈະເປັນ 36.96GW ແລະ 73.93GW ຕາມລໍາດັບ, ແລະຄວາມຕ້ອງການພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂແບບອະນຸລັກກໍ່ຈະບັນລຸ 30.24GW ແລະ 60.49GW ຕາມລໍາດັບ.ໃນປີ 2021, ການສະຫນອງແລະຄວາມຕ້ອງການ polysilicon ທົ່ວໂລກຈະເຄັ່ງຄັດ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ລາຄາໂພລີຊິລິຄອນທົ່ວໂລກສູງ.ສະຖານະການນີ້ອາດຈະສືບຕໍ່ໄປຈົນເຖິງປີ 2022, ແລະຄ່ອຍໆຫັນໄປສູ່ຂັ້ນຕອນຂອງການສະຫນອງວ່າງຫລັງປີ 2023. ໃນເຄິ່ງທີ່ສອງຂອງປີ 2020, ຜົນກະທົບຂອງການລະບາດຂອງພະຍາດດັ່ງກ່າວເລີ່ມອ່ອນລົງ, ແລະການຂະຫຍາຍການຜະລິດຢູ່ລຸ່ມນ້ໍາເຮັດໃຫ້ຄວາມຕ້ອງການໂພລີຊິລິໂຄນ, ແລະບາງບໍລິສັດຊັ້ນນໍາໄດ້ວາງແຜນໄວ້. ເພື່ອຂະຫຍາຍການຜະລິດ.ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ຮອບວຽນການຂະຫຍາຍຕົວຫຼາຍກວ່າ 1 ປີເຄິ່ງ ສົ່ງຜົນໃຫ້ການປ່ອຍກຳລັງການຜະລິດໃນທ້າຍປີ 2021 ແລະ 2022, ໃນປີ 2021 ເພີ່ມຂຶ້ນ 4,24%. ມີຊ່ອງຫວ່າງການສະໜອງ 10,000 ໂຕນ, ສະນັ້ນ ລາຄາຈຶ່ງໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນ. ຢ່າງໄວ.ມັນຄາດຄະເນວ່າໃນປີ 2022, ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂໃນແງ່ດີແລະອະນຸລັກຂອງຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງ photovoltaic, ຊ່ອງຫວ່າງການສະຫນອງແລະຄວາມຕ້ອງການຈະເປັນ -156,500 ໂຕນແລະ 2,400 ໂຕນຕາມລໍາດັບ, ແລະການສະຫນອງໂດຍລວມຍັງຈະຢູ່ໃນສະພາບທີ່ຂ້ອນຂ້າງຂາດແຄນ.ໃນປີ 2023 ເປັນຕົ້ນໄປ, ໂຄງການໃໝ່ທີ່ເລີ່ມກໍ່ສ້າງໃນທ້າຍປີ 2021 ແລະ ຕົ້ນປີ 2022 ຈະເລີ່ມການຜະລິດ ແລະ ບັນລຸກຳລັງການຜະລິດເພີ່ມຂຶ້ນ.ການສະຫນອງແລະຄວາມຕ້ອງການຈະຄ່ອຍໆຜ່ອນລົງ, ແລະລາຄາອາດຈະຢູ່ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຫຼຸດລົງ.ໃນການຕິດຕາມ, ຄວນເອົາໃຈໃສ່ຕໍ່ຜົນກະທົບຂອງສົງຄາມລັດເຊຍ - ອູແກຣນກ່ຽວກັບຮູບແບບພະລັງງານທົ່ວໂລກ, ເຊິ່ງອາດຈະມີການປ່ຽນແປງແຜນການທົ່ວໂລກສໍາລັບຄວາມອາດສາມາດ photovoltaic ທີ່ຕິດຕັ້ງໃຫມ່, ເຊິ່ງຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງ polysilicon.
(ບົດຄວາມນີ້ແມ່ນພຽງແຕ່ສໍາລັບການອ້າງອິງຂອງລູກຄ້າຂອງ UrbanMines ແລະບໍ່ໄດ້ເປັນຕົວແທນໃຫ້ຄໍາແນະນໍາການລົງທຶນໃດໆ)